Programma di Laboratorio Di Fisica 3:

Il corso prevede lezioni frontali di teoria: Linee di trasmissione. (4h) Cenni alla struttura dei semiconduttori e drogaggio (6h) Giunzioni p-n, Diodi, circuiti con diodi (6h). Transistor a giunzione: principali configurazioni e loro caratteristiche, transistor a basse frequenze, modello ibrido.(8h) Transistori ad effetto di campo (FET e MOSFET): principi di funzionamento e principali configurazioni. Modello ibrido e applicazioni (4h). Amplificatori, amplificatori operazionali (6h). Algebra di Boole. Circuiti digitali; esempi di funzioni in logica parallela ed in logica seriale. (6h)

Esercitazioni di laboratorio:
(1) Linea di trasmissione: linea adattata in ingresso e terminata su un carico resistivo; misura dei parametri caratteristici; misura del coefficiente di attenuazione; effetto dell'attenuazione generico, comportamento della linea adattata in ingresso e chiusa su un carico.
(2) Diodo: misura della caratteristica tensione-corrente del diodo; realizzazione di un raddrizzatore/livellatore di forme d’onda; circuito raddrizzatore a doppia semionda con LED.
(3) Transistore bipolare a giunzione (BJT): misura delle caratteristiche di ingresso ad emettitore comune con e senza resistenza sull’emettitore; misura delle caratteristiche di uscita; misura del parametro hfe.
(4) Esperienza digitale: esperienza su porte logiche.
(5) Transistore bipolare a giunzione (BJT): studio di un amplificatore a transistor in configurazione emettitore comune (CE) con circuito di autopolarizzazione e capacità sull'emettitore; studio della variazione dell’amplificazione in funzione della frequenza del segnale di ingresso; studio dell’amplificatore a transistore in configurazione collettore comune con circuito di autopolarizzazione (emiter follower).
(6)Amplificatori Operazionali: OPAMP in configurazione invertente, misura dell’amplificazione; risposta in frequenza dell’OPAMP; circuito derivatore; risposta in frequenza e misura della frequenza di taglio, integratore; risposta in frequenza e misura della frequenza di taglio, derivatore.
(7)Transistore MOSFET: caratteristiche di uscita; amplificazione a source comune; misura del guadagno in tensione, stima del valore di transconduttanza e misura delle frequenze di taglio.


Fonte: GOMP